型号:SI1912EDH-T1-E3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.13A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 280 毫欧 @ 1.13A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 450mV @ 100µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 1nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 570mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SC-70-6 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市裕坤生电子科技有限公司 | 王小姐13410665908 |
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市恒天华科技有限公司 | 邓0755-82560927 |
深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
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1206(3216 公制)
RES 562 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SRR1260-120M
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1206(3216 公制)
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- SFC37S20K291B-F
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1206(3216 公制)
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- RT1206CRE075K1L
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1206(3216 公制)
RES 5.10K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SR1206JR-072R2L
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
1206(3216 公制)
RES ANTI-SURGE 2.2 OHM 5% 1206
- SFC37S35K291B-F
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径向,Can - QC 端子
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RES 61.9K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SI1972DH-T1-GE3
FET - 阵列
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